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纯水水处置惩罚工艺流程图集
常用的一级RO+二级EDI+MB 电子I级超纯水系统工艺设置图
适合于源水硬度高,有机物含量高,电导率高(小于1000μs/cm),要求产水电阻率18~18.2MΩ·cm的超纯水系统
常用的一级RO+二级EDI电子Ⅱ级超纯水系统工艺设置图
适合于源水硬度高,有机物含量高,电导率(小于1000μs/cm),要求产水电阻率15~18MΩ·cm的超纯水系统
常用的一级RO+二级EDI电子+MB 电子I级超纯水系统工艺设置图
适合于源水硬度低,有机物含量低,电导率高(小于1000μs/cm),要求产水电阻率18~18.2MΩ·cm的超纯水系统
常用的一级RO+二级EDI电子Ⅱ级超纯水系统工艺设置图
适合于源水硬度低,有机物含量低,电导率高(小于1000μs/cm),要求产水电阻率15~18MΩ·cm的超纯水系统图 7是常用的一级EDI全系统组成图。
常用的产水水质稳固的二级RO+一级EDI+MB电子Ⅰ级超纯水系统组成图
适合于源水硬度低,有机物含量高,电导率 <1000μs/cm,即TDS < 500ppm时,要求产水电阻率18~18.2MΩ·cm的纯水系统
常用的产水水质稳固的二级RO+一级EDI电子Ⅱ级超纯水系统组成图
适合于源水硬度低,有机物含量高,电导率 <1000μs/cm,即TDS < 500ppm时,要求产水电阻率15~18.0MΩ·cm的的纯水系统。
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